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QS8K2
Nch 30V 3.5A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
30V
54m W
TSMT8
(8)
(7)
(6)
(5)
l Features
I D
P D
3.5A
1.5W
l Inner circuit
(1)
(2)
(3)
(4)
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT8).
(1)
(2)
(3)
(4)
Tr1 Source
Tr1 Gate
Tr2 Source
Tr2 Gate
(5)
(6)
(7)
(8)
Tr2 Drain
Tr2 Drain
Tr1 Drain
Tr1 Drain
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
K02
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
30
? 3.5
? 12
? 12
1.25
0.9
0.6
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W / total
W / element
W / total
°C
°C
2012.12 - Rev.B
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